[发明专利]一种具有并联操作功能的TFET器件有效
| 申请号： | 201911130562.7 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN111048591B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 叶浩;胡建平;张子豪;高晗晔;戴凯 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理有限公司 33226 | 代理人： | 方小惠 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有并联操作功能的TFET器件，包括第一金属栅、第二金属栅、第三金属栅、硅基沟道、第一高K介质栅氧层、第二高K介质栅氧层、第三高K介质栅氧层、源区、漏区、第一阻挡层和第二阻挡层，硅基沟道采用倒L型结构实现，第一金属栅、第二金属栅和第三金属栅位于硅基沟道外侧作为三个独立输入的栅极；优点是结构紧凑，通过三个独立的栅极控制，载流子可以在倒L型的硅基沟道沟道的上沟道、下沟道或者整个沟道通过，使得在这三种状态下的导通电流相当，达到并联操作的功能，从而可以大量减少VLSI电路设计中晶体管的使用数量，进一步简化了VLSI电路的结构，大幅度降低了VLSI电路面积和功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 并联 操作 功能 tfet 器件 | ||
【主权项】：
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