[发明专利]一种具有并联操作功能的TFET器件

权利要求书

1.一种具有并联操作功能的TFET器件，其特征在于包括第一金属栅、第二金属栅、第三金属栅、硅基沟道、第一高K介质栅氧层、第二高K介质栅氧层、第三高K介质栅氧层、源区、漏区、第一阻挡层和第二阻挡层，所述的第一金属栅、所述的第二金属栅、所述的第三金属栅、所述的源区、所述的漏区、所述的第二高K介质栅氧层、所述的第三高K介质栅氧层、所述的第一阻挡层和所述的第二阻挡层均为长方体形状；

所述的源区、所述的硅基沟道和所述的漏区按照从左到右的顺序依次排布连接，所述的硅基沟道包括第一长方体块和第二长方体块，所述的第一长方体块位于所述的第二长方体块上方，所述的第一长方体的前端面与所述的第二长方体块的前端面位于同一平面，所述的第一长方体块的下端面与所述的第二长方体块的上端面贴合连接，所述的第一长方体块的左端面与所述的第二长方体块的左端面位于同一平面，所述的第一长方体块的右端面与所述的第二长方体块的右端面位于同一平面，所述的第一长方体块沿前后方向的长度大于所述的第二长方体块沿前后方向的长度，所述的源区的右端面分别与所述的第一长方体块的左端面和所述的第二长方体块的左端面贴合连接，所述的漏区的左端面分别与所述的第一长方体块的右端面和所述的第二长方体块的右端面贴合连接，所述的源区的前端面、所述的漏区的前端面和所述的第一长方体块的前端面位于同一平面，所述的源区的后端面、所述的漏区的后端面和所述的第一长方体块的后端面位于同一平面，所述的源区的下端面、所述的第二长方体块的下端面和所述的漏区的下端面位于同一平面；

所述的第一阻挡层、所述的第一高K介质栅氧层和所述的第二阻挡层按照从左到右的顺序依次排布连接，且三者位于所述的源区、所述的漏区和所述的硅基沟道围成的空间内，所述的第一高K介质栅氧层包括第三长方体块和第四长方体块，所述的第三长方体块位于所述的第四长方体块上方，所述的第三长方体的前端面与所述的第四长方体块的前端面位于同一平面，所述的第三长方体块的下端面与所述的第四长方体块的上端面贴合连接，所述的第三长方体块的左端面与所述的第四长方体块的左端面位于同一平面，所述的第三长方体块的右端面与所述的第四长方体块的右端面位于同一平面，所述的第三长方体块沿前后方向的长度大于所述的第四长方体块沿前后方向的长度，所述的第一阻挡层的左端面与所述的源区的右端面贴合连接，所述的第一阻挡层的上端面与所述的第一长方体块的下端面贴合固定连接，所述的第一阻挡层的前端面与所述的第二长方体块的后端面贴合固定连接，所述的第一阻挡层的后端面与所述的源区的后端面位于同一平面，所述的第一阻挡层的右端面分别与所述的第三长方体块的左端面和所述的第四长方体块的左端面贴合连接，所述的第三长方体块的上端面与所述的第一长方体块的下端面贴合固定连接，所述的第三长方体块的前端面和所述的第四长方体块的前端面分别与所述的第二长方体块的后端面贴合固定连接，所述的第三长方体块的后端面与所述的第一阻挡层的后端面位于同一平面，所述的第三长方体块的右端面和所述的第四长方体块的右端面分别与所述的第二阻挡层的左端面贴合固定连接，所述的第二阻挡层的上端面与所述的第一长方体块的下端面贴合固定连接，所述的第二阻挡层的右端面与所述的漏区的左端面贴合固定连接，所述的第二阻挡层的前端面与所述的第二长方体块的后端面贴合固定连接，所述的第二阻挡层的后端面与所述的漏区的后端面位于同一平面，所述的第一阻挡层的下端面、所述的第四长方体块的下端面和所述的第二阻挡层的下端面均与所述的漏区的下端面位于同一平面；

所述的第三金属栅位于所述的第三长方体块的下方，所述的第三金属栅的左端面与所述的第一阻挡层的右端面贴合固定连接，所述的第三金属栅的前端面与所述的第四长方体块的后端面贴合固定连接，所述的第三金属栅的上端面与所述的第三长方体块的下端面贴合固定连接，所述的第三金属栅的右端面与所述的第二阻挡层的左端面贴合固定连接，所述的第三金属栅的后端面与所述的漏区的后端面位于同一平面，所述的第三金属栅的下端面与所述的第一阻挡层的下端面位于同一平面；

所述的第二高K介质栅氧层位于所述的第一长方体块的上方，所述的第二高K介质栅氧层的下端面与所述的第一长方体块的上端面贴合固定连接，所述的第二高K介质栅氧层的左端面与第三金属栅的左端面位于同一平面，所述的第二高K介质栅氧层的右端面与所述的第一金属栅的右端面位于同一平面，所述的第二高K介质栅氧层的前端面与所述的第一长方体块的前端面位于同一平面，所述的第二高K介质栅氧层的后端面与所述的第一长方体块的后端面位于同一平面，所述的第一金属栅位于所述的第二高K介质栅氧层的上方，所述的第一金属栅的下端面与所述的第二高K介质栅氧层的上端面贴合固定连接，所述的第一金属栅的左端面与第二高K介质栅氧层的左端面位于同一平面，所述的第一金属栅的右端面与所述的第二高K介质栅氧层的右端面位于同一平面，所述的第一金属栅的前端面与所述的第二高K介质栅氧层的前端面位于同一平面，所述的第一金属栅的后端面与所述的第二高K介质栅氧层的后端面位于同一平面；

所述的第三高K介质栅氧层位于所述的第二长方体块的前侧，所述的第三高K介质栅氧层的后端面与所述的第二长方体块的前端面贴合固定连接，所述的第三高K介质栅氧层的左端面与所述的第三金属栅的左端面位于同一平面，所述的第三高K介质栅氧层的右端面与所述的第三金属栅的右端面位于同一平面，所述的第三高K介质栅氧层的上端面与所述的第一长方体块的上端面位于同一平面，所述的第三高K介质栅氧层的下端面与所述的第二长方体块的下端面位于同一平面，所述的第二金属栅位于所述的第三高K介质栅氧层的前侧，所述的第二金属栅的后端面与所述的第三高K介质栅氧层的前端面贴合固定连接，所述的第二金属栅的左端面与所述的第三金属栅的左端面位于同一平面，所述的第二金属栅的右端面与所述的第三金属栅的右端面位于同一平面，所述的第二金属栅的上端面与所述的第一长方体块的上端面位于同一平面，所述的第二金属栅的下端面与所述的第三高K介质栅氧层的下端面位于同一平面。