[发明专利]具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜及其制法与应用在审
| 申请号： | 201911127056.2 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110797441A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强;李媛;洪晓松;王文樑;邢志恒 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜及其制法与应用。所述LED外延薄膜包括n‑GaN,依次生长在n‑GaN上的MOCVD制备的InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱、电子阻挡层、p‑GaN层。本发明提出的高内量子效率近紫外LED外延薄膜的制备方法具有结构简单、效率高、可有效改善量子阱材料质量的特点，可广泛应用于近紫外、蓝光、黄绿光LED等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 外延薄膜 量子阱 制备 电子阻挡层 量子阱材料 内量子效率 近紫外LED 黄绿光 近紫外 蓝光 制法 应用 生长 | ||
【主权项】：
1.具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，包括由下至上的n-GaN(1)、InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱(2)、电子阻挡层(3)和p-GaN(4)。/n
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