[发明专利]具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜及其制法与应用在审
| 申请号： | 201911127056.2 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110797441A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李国强;李媛;洪晓松;王文樑;邢志恒 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍;冯振宁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延薄膜 量子阱 制备 电子阻挡层 量子阱材料 内量子效率 近紫外LED 黄绿光 近紫外 蓝光 制法 应用 生长 | ||
1.具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，包括由下至上的n-GaN(1)、InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱(2)、电子阻挡层(3)和p-GaN(4)。
2.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的周期数为1~10，每个周期的厚度为1~4nm InGaN/1~3nm GaN/3~10nm AlGaN/1~3nm GaN,其中第一个量子阱的InGaN阱前以一个3~10nm AlGaN/1~3nm GaN垒开始，最后一个量子阱的InGaN阱后以一个1~3nm GaN/3~10nm AlGaN垒结束。
3.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的InGaN阱的生长温度为700~900℃，GaN垒的生长温度与InGaN阱保持一致，AlGaN垒的生长温度为800~1000℃。
4.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱中InGaN的In组分为0.01~1，AlGaN的Al组分大于0、小于等于1。
5.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述电子阻挡层为AlGaN或AlInGaN。
6.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度为0~100nm。
7.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述n-GaN为蓝宝石、Si或SiC衬底上所制备的n-GaN，且n-GaN的厚度为1~5μm。
8.根据权利要求1所述的具有InGaN/GaN/AlGaN/GaN量子阱的LED外延薄膜，其特征在于，所述p-GaN的厚度为50~500nm，掺杂空穴浓度1.0×1017~1.0×1020 cm-3。
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