[发明专利]一种晶棒的加工方法及晶片有效
| 申请号： | 201911121037.9 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110712309B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 陈光林 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B24B1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶棒的加工方法，包括：检测晶棒的原始晶向获取检测结果；根据所述检测结果确定所述晶棒的预设晶向；在具有所述预设晶向的晶棒表面形成间隔设置且具有预设形态的若干凸起部分；沿相邻两个所述凸起部分之间凹槽部分的深度方向切割所述晶棒得到若干具有所述预设形态的晶片。本发明的加工方法因所制备的凸起部分的边缘具备了晶片所需要的形态轮廓，因而在形成晶片后其边缘不用进行切割，因而不会出现因切割而导致的损伤层，切割后的晶片可以直接进行外径研磨工艺，从而缩短工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加工 方法 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种晶棒的加工方法，其特征在于，包括：/n检测晶棒的原始晶向获取检测结果；/n根据所述检测结果确定所述晶棒的预设晶向；/n在具有所述预设晶向的晶棒表面形成间隔设置且具有预设形态的若干凸起部分；/n沿相邻两个所述凸起部分之间凹槽部分的深度方向切割所述晶棒得到若干具有所述预设形态的晶片。/n
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