[发明专利]一种晶棒的加工方法及晶片有效
申请号: | 201911121037.9 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN110712309B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 陈光林 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04;B24B1/00;H01L21/02 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加工 方法 晶片 | ||
1.一种晶棒的加工方法,其特征在于,包括:
检测晶棒的原始晶向获取检测结果,所述检测结果包括角度偏差为预设偏差和所述角度偏差大于预设偏差;
检测晶棒的原始晶向获取检测结果,包括:
检测晶棒的原始晶向;
根据所述晶棒的原始晶向与预设晶向之间的角度偏差获取所述检测结果;
根据所述检测结果确定所述晶棒的预设晶向,其中,所述预设晶向为所述晶棒最终加工成晶片时所需要的晶向;
根据所述检测结果确定所述晶棒的预设晶向,包括:
当所述检测结果为所述角度偏差为预设偏差时,则将所述晶棒的原始晶向设定为所述预设晶向,当所述检测结果为所述角度偏差大于预设偏差时,则将所述晶棒的原始晶向调至所述预设晶向;
在具有所述预设晶向的晶棒表面形成间隔设置且具有预设形态的若干凸起部分,所述预设形态包括预设尺寸和预设边缘形貌,所述预设尺寸为所述凸起部分的外径,所述预设边缘形貌为所述凸起部分边缘处的形貌;
在具有所述预设晶向的晶棒表面形成间隔设置且具有预设形态的若干凸起部分,包括:
根据所述晶片的预设尺寸和预设边缘形貌对所述晶棒的表面同时进行多道倒角和外径研磨处理,以在所述晶棒表面形成间隔设置且具有所述预设尺寸和所述预设边缘形貌的所述若干凸起部分;
沿相邻两个所述凸起部分之间凹槽部分的深度方向切割所述晶棒得到若干具有所述预设形态的晶片。
2.根据权利要求1所述的晶棒的加工方法,其特征在于,检测晶棒的原始晶向,包括:
利用X射线检测方法检测晶棒的原始晶向。
3.根据权利要求1所述的晶棒的加工方法,其特征在于,在沿相邻两个所述凸起部分之间凹槽部分的深度方向切割所述晶棒得到若干具有所述预设形态的晶片之前,还包括:
将具有所述若干凸起部分的晶棒进行截断处理。
4.根据权利要求1所述的晶棒的加工方法,其特征在于,沿相邻两个所述凸起部分之间凹槽部分的深度方向切割所述晶棒得到若干具有所述预设形态的晶片,包括:
以所述凹槽部分作为切割位置,利用多线切割方法沿所述凹槽部分的深度方向对所述晶棒进行切割处理得到具有所述预设形态的晶片。
5.根据权利要求1所述的晶棒的加工方法,其特征在于,在沿相邻两个所述凸起部分之间凹槽部分的深度方向切割所述晶棒得到若干晶片之后,还包括:
对所述晶片进行双面研磨处理。
6.一种晶片,其特征在于,利用权利要求1至5任一项所述的晶棒的加工方法制备而成。
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