[发明专利]深紫外LED结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201911105192.1 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN110808320B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 汪莱;刘洋;郝智彪;罗毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
一种深紫外LED结构及其制作方法，其中深紫外LED结构包括：深紫外AlGaN外延结构，包含：p型AlGaN层；n型Ga |
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| 搜索关键词： | 深紫 led 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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