[发明专利]深紫外LED结构及其制作方法

权利要求书

1.一种深紫外LED结构，其特征在于，包括：

深紫外AlGaN外延结构（10），包含：p型AlGaN层（107）；

n型Ga₂O₃纳米薄膜（21），位于所述深紫外AlGaN外延结构（10）的上表面；

其中，所述n型Ga₂O₃纳米薄膜（21）与所述p型AlGaN层（107）形成隧穿结，作为表面电极接触层及空穴供给层。

2.根据权利要求1所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述p型AlGaN层（107）与所述n型Ga₂O₃纳米薄膜（21）之间还具有一辅助隧穿层（108）。

3.根据权利要求2所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述辅助隧穿层（108）的材料为p型InGaN。

4.根据权利要求1所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述深紫外AlGaN外延结构（10），还包含：

衬底（101）；

缓冲层（102），位于所述衬底（101）之上；

本征AlGaN层（103），位于所述缓冲层（102）之上；

n型AlGaN层（104），位于所述本征AlGaN层（103）之上；

AlGaN量子阱层（105），位于所述n型AlGaN层（104）之上；

电子阻挡层（106），位于所述AlGaN量子阱层（105）之上；

所述p型AlGaN层（107）位于所述电子阻挡层（106）之上。

5.根据权利要求4所述的深紫外LED结构，其特征在于，

所述衬底（101）为异质衬底或同质衬底，所述衬底的材料包括如下材料中的一种：蓝宝石，硅单晶，尖晶石，碳化硅，氧化锌，氮化铝；和/或，

所述缓冲层（102）的材料为AlN；和/或，

所述缓冲层的厚度为1微米~5微米；和/或，

所述本征AlGaN层（103）的厚度为100纳米~10微米；和/或，

所述n型AlGaN层（104）的厚度为100纳米~10微米；和/或，

所述AlGaN量子阱层（105）的厚度为10纳米~1微米；和/或，

所述电子阻挡层（106）的材料为p型AlGaN；和/或，

所述电子阻挡层（106）的厚度为1纳米~500纳米；和/或，

所述p型AlGaN层（107）的厚度为1纳米~500纳米。

6.根据权利要求2所述的深紫外LED结构，其特征在于，

所述辅助隧穿层（108）的厚度为1纳米~500纳米；和/或，

所述n型Ga₂O₃纳米薄膜（21）的厚度为10纳米~10微米。

7.根据权利要求4所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述n型Ga₂O₃纳米薄膜（21）与深紫外AlGaN外延结构（10）具有一台面，所述台面由n型Ga₂O₃纳米薄膜（21）向下刻蚀至n型AlGaN层（104）上表面形成；在暴露出来的所述n型AlGaN层（104）的上表面生长有n型电极（30）；在所述n型Ga₂O₃纳米薄膜（21）的上表面生长有n型电极（30）。

8.根据权利要求7所述的深紫外LED结构，其特征在于，在所述台面上还沉积有钝化层。

9.根据权利要求8所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述钝化层的材料包括如下材料的一种或几种：Si_xN_y，SiO₂。

10.根据权利要求7所述的深紫外LED结构，其特征在于，所述n型电极（30）的材料包括如下材料的一种或几种：Ti/Al、Cr/Au。