[发明专利]毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法在审
| 申请号： | 201911101347.4 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN110739288A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张晓朋;吴兰;高博;曲韩宾;邢浦旭;崔培水;谷江 | 申请（专利权）人： | 河北新华北集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 13120 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人： | 祁静 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法，涉及芯片封装技术领域，包括芯片、封装基板和封盖；封装基板上设有自上而下顺次层叠设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层以及第三金属层，封盖设置于封装基板上且用于封盖封装基板，封盖设有开口向下的内腔。本发明提供的毫米波频段放大器芯片封装结构形式，采用封装基板和封盖结合的形式，并在封装基板上设置容纳槽的形式实现对芯片的容纳，有效的缩短了芯片与封装基板之间的连接长度，便于降低寄生电感，提高了芯片的传输能力。带有内腔的封盖使芯片的芯片直流端口与封装基板的连接直接接触空气，降低了高频波段的损耗，提高了芯片的自身射频性能。 | ||
| 搜索关键词： | 封装基板 封盖 芯片 放大器芯片 毫米波频段 封装结构 介质层 内腔 芯片封装技术 第二金属层 第一金属层 层叠设置 传输能力 高频波段 寄生电感 开口向下 射频性能 直流端口 金属层 容纳槽 容纳 制作 | ||
【主权项】：
1.毫米波频段放大器芯片封装结构，其特征在于，包括芯片、封装基板和封盖；/n芯片的上表面外周设有若干个芯片直流端口以及至少两个芯片射频端口；/n封装基板设有自上而下顺次层叠设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层以及第三金属层，所述第一金属层的中部以及所述第一介质层的中部分别设有上下贯通的通孔，所述第一金属层和所述第一介质层的内壁与所述第二金属层形成用于容纳所述芯片的容纳槽；/n封盖设置于所述封装基板上且用于封盖所述封装基板，所述封盖设有开口向下的内腔。/n
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