[发明专利]毫米波频段放大器芯片封装结构及制作方法

权利要求书

1.毫米波频段放大器芯片封装结构，其特征在于，包括芯片、封装基板和封盖；

芯片的上表面外周设有若干个芯片直流端口以及至少两个芯片射频端口；

封装基板设有自上而下顺次层叠设置的第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层以及第三金属层，所述第一金属层的中部以及所述第一介质层的中部分别设有上下贯通的通孔，所述第一金属层和所述第一介质层的内壁与所述第二金属层形成用于容纳所述芯片的容纳槽；

封盖设置于所述封装基板上且用于封盖所述封装基板，所述封盖设有开口向下的内腔。

2.如权利要求1所述的毫米波频段放大器芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层包括若干个与所述芯片直流端口相对应的第一直流端口以及与所述芯片射频端口相对应的第一射频端口，相邻两个所述第一直流端口之间间隔设置；

所述第二金属层上与所述第一直流端口和所述第一射频端口上下对应的位置设有避让槽；

所述第三金属层包括若干个与所述第一直流端口上下一一相对应的第三直流端口、与所述第一射频端口上下一一对应且相连的第三射频端口以及位于若干个所述第三直流端口中部的第一中心层，相邻两个所述第三直流端口之间间隔设置，且所述第三直流端口与所述第一中心层之间间隔设置。

3.如权利要求2所述的毫米波频段放大器芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层还包括四个分别设置在所述第一介质层上表面的四角处的角部金属层，所述角部金属层靠近所述第一射频端口的一侧与所述第三金属层之间还设有若干个接地柱。

4.如权利要求3所述的毫米波频段放大器芯片封装结构，其特征在于，位于所述第一射频端口两侧的两个所述角部金属层之间还设有用于避让所述第一射频端口的外扩口。

5.如权利要求2所述的毫米波频段放大器芯片封装结构，其特征在于，所述第二金属层还包括设置于所述避让槽内的第二射频端口和第二直流端口，所述第二射频端口与所述第一射频端口一一上下对应，所述第二直流端口与所述第一直流端口一一上下对应。

6.如权利要求2所述的毫米波频段放大器芯片封装结构，其特征在于，所述容纳槽内还设有若干个位于所述芯片的外周的电容，所述电容与所述芯片直流端口一一对应相连，且所述电容与所述第一直流端口分别一一对应相连。

7.如权利要求2所述的毫米波频段放大器芯片封装结构，其特征在于，所述第一射频端口远离所述芯片的一端设有第一半圆部，所述第三射频端口靠近所述芯片的一端设有第二半圆部，所述第二半圆部与所述第一半圆部上下对应且通过金属化通孔相连。

8.如权利要求2所述的毫米波频段放大器芯片封装结构，其特征在于，所述第一中心层与所述第二金属层之间设有铜条，所述铜条的长度方向垂直于上下方向设置。

9.如权利要求2-7任一项所述的毫米波频段放大器芯片封装结构，其特征在于，所述第三金属层的底面上设有位于所述第三射频端口两侧且用于与PCB板连接的第一接地端口，所述第三金属层的底面上还设有位于所述容纳槽下方的第二接地端口。

10.一种制作如权利要求2-9任一项所述的毫米波频段放大器芯片封装结构的方法，其特征在于，包括如下步骤：

制作封装基板：在所述第一金属层和所述第一介质层上开设通孔，将所述第一金属层、所述第一介质层、所述第二金属层、所述第二介质层和所述第三金属层自上而下层叠设置，分别连接上下对应的所述第一射频端口和所述第三射频端口，所述第一金属层、所述第一介质层和所述第二金属层形成所述容纳槽；

粘接所述芯片与所述封装基板上：将所述封装基板放置在粘接台上，将所述芯片粘接至所述容纳槽内，将所述芯片和所述封装基板烘干至粘接胶固化；

连接所述芯片射频端口至对应的所述第一射频端口上并连接所述芯片直流端口至所述第一直流端口上；

安装所述封盖：将所述封装基板加热至125℃；将所述封盖固定至所述封装基板上，升温并保持后自然冷却。