[发明专利]一种提高MOS器件或集成电路抗辐照性能的方法有效
| 申请号： | 201911099567.8 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN110880491B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 安霞;任哲玄;李艮松;张兴;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L27/02;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高MOS器件或集成电路抗辐照性能的方法，利用纳米级MOS器件引入的应变硅技术的工艺特点，在版图设计时适当调整PMOS器件源漏扩散区长度SA，最终增大沟道中的压应力，从而可以提高沟道中空穴迁移率，提高PMOS器件的常态性能，另一方面，还可以减小总剂量辐照引起的阈值电压漂移，从而减少总剂量辐照对纳米级MOS器件的影响，提高纳米级集成电路抗总剂量辐照性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 mos 器件 集成电路 辐照 性能 方法 | ||
【主权项】：
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