[发明专利]ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法及装置有效
| 申请号： | 201911089142.9 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN111048391B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 杨京;卫晶;韦刚 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法及装置，方法包括：检测上射频电源的反射功率值，判断反射功率值是否大于第一预设阈值并持续第一预设时长；若是，则关闭上射频电源并持续第二预设时长；关闭上射频电源第二预设时长后，开启上射频电源。本发明中，上射频电源监测到反射功率值过大后，会通过关闭上射频电源输出功率并持续预设时长，以达到衰减反射功率的目的，有效防止了反射功率过大对硬件的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | icp 刻蚀 工艺 降低 反射 功率 方法 装置 | ||
【主权项】：
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