[发明专利]ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法及装置

权利要求书

1.一种ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法，其特征在于，包括：

步骤1：检测上射频电源的反射功率值，判断所述反射功率值是否大于第一预设阈值并持续第一预设时长；

步骤2：若是，则关闭所述上射频电源并持续第二预设时长；

步骤3：关闭所述上射频电源所述第二预设时长后，开启所述上射频电源。

2.根据权利要求1所述的ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法，其特征在于，所述步骤3后还包括：

步骤4：持续检测所述上射频电源的反射功率值，判断所述反射功率是否仍大于所述第一预设阈值并持续所述第一预设时长；

步骤5：若是，则增加所述第二预设时长，并关闭所述上射频电源且持续增加后的所述第二预设时长；

步骤6：关闭所述上射频电源增加后的所述第二预设时长后，开启所述上射频电源。

3.根据权利要求2所述的ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法，其特征在于，重复执行步骤4至步骤6至预设次数。

4.根据权利要求2或3所述的ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法，其特征在于，所述增加所述第二预设时长包括：将所述第二预设时长调整为上一次第二预设时长的整数倍。

5.根据权利要求3所述的ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法，其特征在于，若重复步骤4至步骤6至所述预设次数后，所述反射功率仍大于所述第一预设阈值，则彻底关闭所述上射频电源。

6.根据权利要求1所述的ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法，其特征在于，所述步骤2还包括：关闭所述上射频电源的同时向下射频电源发出同步信号，使所述下射频电源保持当前输出功率，所述同步信号的持续时间与所述第二预设时长相同。

7.一种ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法，其特征在于，包括：

步骤1：检测反应腔室中的伽马值，判断所述伽马值是否大于第二预设阈值并持续第一预设时长；

步骤2：若是，则关闭上射频电源并持续第二预设时长；

步骤3：关闭所述上射频电源所述第二预设时长后，开启所述上射频电源。

8.根据权利要求7所述的ICP刻蚀工艺中降低反射功率的方法，其特征在于，所述步骤3后还包括：

步骤4：持续检测所述反应腔室中的伽马值，判断所述伽马值是否仍大于所述第二预设阈值并持续所述第一预设时长；

步骤5：若是，则增加所述第二预设时长，并关闭所述上射频电源且持续增加后的所述第二预设时长；

步骤6：关闭所述上射频电源增加后的所述第二预设时长后，开启所述上射频电源。

9.一种ICP刻蚀工艺中降低反射功率的装置，其特征在于，包括：射频电源控制单元和反射功率监测单元；

所述反射功率监测单元用于检测上射频电源的反射功率值，并将所述反射功率值发送至所述射频电源控制单元；

所述射频电源控制单元用于根据所述反射功率值关闭或开启所述上射频电源；

其中，当所述射频电源控制单元判断所述反射功率值大于第一预设阈值并持续第一预设时长时，所述射频电源控制单元关闭所述上射频电源并在持续第二预设时长后开启所述上射频电源。

10.一种ICP刻蚀工艺中降低反射功率的装置，其特征在于，包括：

射频电源控制单元和伽马值监测单元；

所述伽马值监测单元用于检测反应腔室中的伽马值，并将所述伽马值发送至所述射频电源控制单元；

所述射频电源控制单元用于根据所述伽马值关闭或开启上射频电源；

其中，当所述射频电源控制单元判断所述伽马值大于第二预设阈值并持续第一预设时长时，所述射频电源控制单元关闭所述上射频电源并在持续第二预设时长后开启所述上射频电源。