[发明专利]一种场效应细胞培养皿的制备流程

摘要

一种场效应细胞培养皿制备工艺流程由清洗、源极光刻、源极扩散、漏极光刻、漏极扩散、栅极光刻、栅极外延、硅化光刻、金属硅化、热氧化、切割、合体、除菌组成。通过这个流程可以制备出由皿壁和皿底组成的场效应细胞培养皿。皿底由10×10～700×700个场效应传感器组成的传感器阵列。场效应传感器的结构是在一个n型半导体衬底上，制备两个不同掺杂浓度p型半导体的源极和漏极，栅极在源极和漏极之间，细胞在皿底场效应传感器的栅极培养，并控制栅极电位。该细胞培养皿制备流程有益之处在于流程简单，易于实现，可降低制造成本。