[发明专利]一种场效应细胞培养皿的制备流程

权利要求书

1.一种场效应细胞培养皿的制备流程，由清洗、源极光刻、源极扩散、漏极光刻、漏极扩散、栅极光刻、栅极外延、硅化光刻、金属硅化、热氧化、切割、合体、除菌组成，把原始晶圆片作为工件，进行清洗；用设计好的皿底源极暴露的掩膜版对工件进行源极光刻和源极扩散；用设计好的皿底漏极暴露的掩膜版对工件进行漏极光刻和漏极扩散；用设计好的皿底栅极暴露的掩膜版对工件进行栅极光刻和栅极外延；用设计好的皿底源极连接线、漏极连接线、参考接件、信号接件暴露的掩膜版对工件进行硅化光刻和金属硅化，所有场效应传感器的源极连接线并接，并与参考接件连接，各个场效应传感器的漏极连接线分别与信号接件连接；该工件进行热氧化，在场效应传感器一侧的工件表面制备SiO₂绝缘层；将工件上多个皿底切割出来，分成单个的皿底；将皿壁与皿底合体，成为一个完整的场效应细胞培养皿；把完整的场效应细胞培养皿进行除菌。

2.根据权利要求1所述的一种场效应细胞培养皿的制备流程，其特征在于，所述的光刻流程包括涂胶、前烘、掩膜、曝光、去掩膜、去氧化层、去胶，涂胶是在衬底工件表面涂一层光刻胶，采用负性胶；前烘将胶膜中的溶剂全部挥发；掩膜是把设计好的皿底掩膜版覆盖在工件表面，掩膜版的图案覆盖在涂有光刻胶的工件上；曝光采用紫外线光照射在工件没有被掩膜版图案所覆盖的光刻胶上；去掩膜是去除覆盖在工件表面上的掩膜版；去氧化层是把工件用氢氟酸溶液浸泡数小时，去掉工件上的氧化层，露出硅层；去胶是采用兆声波清洗方法，把去氧化层的工件放在兆声波清洗池对其表面的光刻胶进行清洗。

3.根据权利要求1所述的一种场效应细胞培养皿的制备流程，其特征在于，所述的扩散流程包括离子注入和注入测量；离子注入是把以三价元素以一定的掺杂浓度注入到工件露出硅层的区域，把该区域做成p阱(p-well)的场效应传感器源极或漏极；注入测量对该工件源极或漏极注入杂质、掺杂均匀性、注入曲线、注入损伤等掺杂特性进行测量。

4.根据权利要求1所述的一种场效应细胞培养皿的制备流程，其特征在于，栅极外延是把工件置于高频感应炉加热，在高温下，氢气(H2)携带四氯化硅(SiCl₄)或三氯氢硅(SiHCl₃)、硅烷(SiH₄)或二氯氢硅(SiH₂Cl₂)进入栅极光刻后工件露出的栅极硅层区域，掺杂剂为磷烷(PH₃)或三氯化磷(PCl₃)。

5.根据权利要求1所述的一种场效应细胞培养皿的制备流程，其特征在于，用耐高温强力玻璃胶把场效应细胞培养皿壁和皿底粘合在一起，把成品的场效应细胞培养皿进行清洗。