[发明专利]一种采用MOCVD设备制备硫化钼二维材料的方法

摘要

本发明公开了一种采用MOCVD设备制备硫化钼二维材料的方法，在Sapphire衬底上多步生长MoS2二维材料，包括：采用Sapphire作为衬底；将Sapphire衬底传送至MOCVD设备内；MOCVD腔内通入N2气体；升温到达恒温生长温度，腔内初始压强为90Torr；通入H2S作为硫气源；通入MO(CO)6作为钼气源，形核；分步降低腔内压强，促使形核晶粒横向生长，得到生长在Sapphire衬底上的MoS2二维材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、材料厚度可控、质量高等优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度可调，可用于柔性芯片应用的MoS2二维材料。

主权项

1.一种采用MOCVD设备制备硫化钼二维材料的方法，其特征在于，所述的MOCVD设备，包括：MOCVD腔体、设置在所述MOCVD腔体内的石英石以及设置在所述MOCVD腔体上的气源进口和气源出口；/n所述的方法包括如下步骤：/n(1)采用蓝宝石衬底；/n(2)将蓝宝石衬底置于MOCVD腔体内的石英石上，从气源进口通入保护性气体，MOCVD腔体内压强控制在80Torr～100Torr；/n(3)将MOCVD腔体内升温至生长温度900℃～1100℃，先从气源进口通入H