[发明专利]像素结构及制作方法、阵列基板、显示面板有效
申请号: | 201911061799.4 | 申请日: | 2019-11-01 |
公开(公告)号: | CN110649046B | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 王国英;宋振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,提出一种像素结构及制作方法、阵列基板、显示面板,该像素结构包括存储电容,存储电容包括第一电容结构,像素结构还包括:基板、遮光金属层、缓冲层、第一栅极绝缘层、第一栅极层。遮光金属层设置于基板上;缓冲层设置于基板上,且覆盖遮光金属层;第一栅极绝缘层设置于缓冲层背离基板的一侧;第一栅极层设置于第一栅极绝缘层背离基板的一侧,以与遮光金属层形成第一电容结构。该像素结构形成的第一电容结构电容值较大,且制作流程简单。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 制作方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,包括存储电容,其特征在于,所述存储电容包括第一电容结构,所述像素结构包括:/n基板;/n遮光金属层,设置于所述基板上;/n缓冲层,设置于所述基板上,且覆盖所述遮光金属层;/n第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层设置于所述缓冲层背离所述基板的一侧;/n第一栅极层,所述第一栅极层设置于所述第一栅极绝缘层背离所述基板的一侧,以与所述遮光金属层形成所述第一电容结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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