[发明专利]一种自激发可存储式光电导器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种自激发可存储式光电导器件及其制备方法。本发明以单晶STO衬底为绝缘氧化物，经离子束轰击后，其表层将形成纳米导电薄层——表面电子气SSEG，为N型半导体；WSe2为P型二维半导体材料，层与层之间靠范德瓦尔斯力结合在一起，形成二硒化钨和钛酸锶表面电子气及其PN结,具有结构简单、光电效率高、可存储的特点，可实现光生电子空穴对的存储，获得无限寿命的光生载流子；其工作过程自激励、外量子效率高且结构简单，可用于纳米能源器件领域。