[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201911052805.X 申请日: 2019-10-31
公开(公告)号: CN111129012A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 林义雄;张尚文;邱奕勋 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/8234
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 刘潇;黄艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种半导体装置包括在第一方向上纵向地延伸的第一半导体条带和第二半导体条带,其中第一半导体条带和第二半导体条带在第二方向上彼此间隔。半导体装置还包括位在第一半导体条带和第二半导体条带之间的电源线。与第一半导体条带的顶表面相比,电源线的顶表面是凹陷的。源极特征设置在第一半导体条带的源极区上,并且源极接点将源极特征电性耦接至电源线。源极接点包括与源极特征的顶表面接触的横向部分和沿着源极特征的侧壁朝向电源线延伸以与电源线物理接触的垂直部分。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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