[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置包括在第一方向上纵向地延伸的第一半导体条带和第二半导体条带，其中第一半导体条带和第二半导体条带在第二方向上彼此间隔。半导体装置还包括位在第一半导体条带和第二半导体条带之间的电源线。与第一半导体条带的顶表面相比，电源线的顶表面是凹陷的。源极特征设置在第一半导体条带的源极区上，并且源极接点将源极特征电性耦接至电源线。源极接点包括与源极特征的顶表面接触的横向部分和沿着源极特征的侧壁朝向电源线延伸以与电源线物理接触的垂直部分。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置，特别是具有寄生电容减小的半导体装置。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)工业快速成长。在IC设计及IC材料的技术进步产生多个IC世代，每一个IC世代比上一个IC世代有更小及更复杂的电路。在IC发展过程中，当几何尺寸(例如：用工艺可作出的最小部件)下降时，功能密度(例如：每一芯片区域的相连元件数量)通常都会增加。

尽管在材料和制造技术方面取得了进步，但是晶体管装置(例如金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor；MOSFET))的微缩已被证实面临挑战。举例来说，虽然得到更大的整合度和更有效地利用芯片空间(chipreal estate)，但是特征尺寸的减少可导致增加的接触电阻和电容。另外，随着更多的晶体管装置被整合到单位芯片区中，工艺窗口要求和关键尺寸要求可能变得越来越受限制。这进而可导致用于形成集成电路装置的工艺的复杂性增加。可能需要改进集成电路装置及其制造方法。

发明内容

本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括第一半导体条带、第二半导体条带、电源线、源极特征以及源极接点。第一半导体条带在第一方向上纵向地延伸。第二半导体条带在第一方向上纵向地延伸，第一半导体条带和第二半导体条带在第二方向上彼此间隔，第二方向垂直于第一方向。电源线在第二方向上位于第一半导体条带和第二半导体条带之间，其中与第一半导体条带的顶表面相比，电源线的顶表面是凹陷的。源极特征设置在第一半导体条带的源极区上。源极接点将源极特征电性耦接至电源线。源极接点包括横向部分和垂直部分。横向部分接触源极特征的顶表面。垂直部分沿着源极特征的侧壁朝向电源线延伸，以物理接触电源线。

本公开提供一种半导体装置制造方法。半导体装置制造方法包括在一基板上形成一第一装置鳍片结构和一第二装置鳍片结构，上述第一装置鳍片结构与上述第二装置鳍片结构横向地相邻；在上述第一装置鳍片结构和上述第一装置鳍片结构上沉积依第一介电层，上述第一介电层定义设置在上述第一装置鳍片结构和上述第二装置鳍片结构之间的一沟槽；在上述沟槽中形成一电源线；在上述第一装置鳍片结构和上述第二装置鳍片结构上个别地形成一源极特征和一漏极特征；形成一源极接点，以将上述源极特征耦接至上述电源线，上述源极接点包括：一第一部分，接触上述源极特征的一顶表面；以及一第二部分，从上述第一部分的一周边区朝向上述电源线延伸，以物理接触上述电源线。

本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括井区、第一晶体管装置、第二晶体管装置、绝缘区、电源线以及源极接点。第一晶体管装置设置在井区的边界内，第一晶体管装置包括在第一方向上纵向地延伸的第一鳍片结构。第二晶体管装置设置在井区的边界内，第二晶体管装置包括在第一方向上纵向地延伸的第二鳍片结构，第一晶体管装置在第二方向上与第二晶体管装置间隔，第二方向垂直于第一方向。绝缘区在第二方向上设置在第一晶体管装置和第二晶体管装置之间。电源线设置在绝缘区内，其中与第一晶体管装置的源极特征相比，电源线在第三方向上是凹陷的，第三方向垂直于第一方向和第二方向。源极接点将第一晶体管装置的源极特征耦接至电源线。源极接点包括第一部分和第二部分。第一部分设置在远离井区的源极特征的表面上。第二部分从第一部分在第三方向上连续地延伸，以物理接触电源线。

附图说明

本公开从后续实施例以及附图可以优选理解。须知示意图为范例，并且不同特征并无示意于此。不同特征的尺寸可能任意增加或减少以清楚论述。