[发明专利]一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管有效
| 申请号： | 201911050306.7 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110828565B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王颖;费新星;包梦恬;于成浩 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管,P型埋层位于缓冲层中，所述第二势垒层和第二沟道层相接触形成二维电子气并与漏极相连，所述漏场板位于钝化层上并向栅极延伸，栅场板位于钝化层上并向漏极延伸。本发明提工作于关态高压时，第二势垒层与第二沟道层形成二维电子气与漏极相连，在栅漏之间引入了新的峰值电场，降低了漏极场板的的峰值电场，P型埋层的加入可以降低栅极场板处的峰值电场使栅漏之间的电场分布更加均匀，进一步的改善了栅漏之间的电场分布，并且P型埋层还降低了器件的泄漏电流，最终使该结构器件相对于传统的场板AlGaN/GaN绝缘栅场效应晶体管，耐压特性上有明显的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 型埋层 沟道 耐压 氮化 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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