[发明专利]一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管

权利要求书

1.一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管，包括源极(301)、漏极(302)，漏场板(303)、栅极(304)、栅场板(305)、栅介质层(306)、钝化层(307)、第一势垒层(308)、第一沟道层(309)、缓冲层(310)、第二势垒层(311)、第二沟道层(312)、P型埋层(313)、衬底(314)；其特征在于，栅场板(305)在缓冲层(310)的投影面中设有P型埋层(313)，所述P型埋层(313)厚度为H_P，长度为W_p，距离源极(301)的距离为L_SP；距离沟道层(309)与势垒层(308)之间的界面的距离为T_P，其中沟道层(309)设置在缓冲层(310)上方；所述第二势垒层(311)和第二沟道层(312)位于缓冲层(310)中，第二势垒层(311)与第二沟道层(312)相接触形成二维电子气并与漏极(302)相连，第二势垒层(311)设置在第二沟道层(312)上方，第二势垒层(311)距离沟道层(309)与势垒层(308)之间的界面的距离为T_P，第二势垒层(311)厚度为H_LB，长度为W_LB，第二沟道层(312)厚度为H_LC，长度为W_LC；所述第二势垒层(311)和第二沟道层(312)由漏极(302)向栅场板(305)方向延伸，且位置不与P型埋层(313)以及栅场板(305)在缓冲层(310)的投影面接触；

所述漏场板(303)位于钝化层(307)上并向栅极(304)方向延伸，长度为L_dfp；所述栅场板(305)位于钝化层(307)上并向漏极(302)方向延伸，长度为L_gfp；所述缓冲层(310)掺杂杂质为C或Fe，掺杂浓度为范围为1×10¹⁶—2×10¹⁷cm^-3，厚度为T_buffer；所述源极(301)与漏极(302)的距离为L_sd，范围0—20μm；所述的第一势垒层(308)设置在沟道层(309)上方，钝化层(307)设置在第一势垒层(308)上方，所述的栅极(304)除了顶部的外侧面设置栅介质层(306)，栅介质层(306)设置在钝化层(307)、第一势垒层(308)内，所述的源极(301)设置在钝化层(307)、第一势垒层(308)的一侧，漏极(302)设置在钝化层(307)、第一势垒层(308)的另一侧。

2.根据权利要求1所述一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管，特征在于：P型埋层(313)位于栅场板下方，掺杂浓度范围为1×10¹⁶—1×10¹⁹cm^-3，长度范围为0μmW_p≤L_sd，厚度范围为0μmH_PT_buffer，距离源极(301)的距离范围为0μmL_SP≤L_sd-W_p；距离沟道层(309)与势垒层(308 )之间的界面的距离范围为0μmT_PT_buffer-H_P。

3.根据权利要求1所述一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管，特征在于：第二势垒层(311)和第二沟道层(312)位于沟道层下方，第二势垒层(311)掺杂浓度范围为1×10¹⁶—1×10¹⁹cm^-3，长度范围为0μmW_LB≤L_sd-W_p，厚度范围为0μmH_LBT_buffer，第二沟道层(312)掺杂浓度范围为1×10¹⁵—1×10²⁰cm^-3，长度范围为0μmW_LC≤L_sd-W_p，厚度范围为0μmH_LCT_buffer。

4.根据权利要求1所述一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管，特征在于：所述漏场板(303)长度范围为0μmL_dfp5μm；所述栅场板(305)长度范围为0μmL_gfp10μm。