[发明专利]化合物半导体柔性碳基膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201911046108.3 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110862076B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘萍 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/05 | 分类号： | C01B32/05;C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08;C23C14/48;C23C14/58;C30B29/68;C30B33/02 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 王震宇 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种化合物半导体柔性碳基膜及其制备方法，包括以下步骤：S1、将含有苯基的酐与二胺杂化得到热塑性聚酰亚胺树脂前驱体；S2、使用所述热塑性聚酰亚胺树脂前驱体制备聚酰亚胺薄膜；S3、对聚酰亚胺薄膜碳化黑铅化，并对聚酰亚胺薄膜掺杂纳米金属，进行离子注入和离子交换，其中，使膜中的纳米单斜晶体相变为四方晶体，并由单晶变为超晶格；S4、对步骤S3得到的材料进行高温退火处理，生成超柔韧的超薄化合物半导体膜。本发明提供了高性能、超柔韧、超薄层微结构的化合物半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 柔性 碳基膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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