[发明专利]一种用于硅基红外气体传感器的硅基气室有效
申请号: | 201911042266.1 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110658149B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 邢朝洋;朱政强;刘欢;崔尉;胡志响;严棋;翟博慧 | 申请(专利权)人: | 北京航天控制仪器研究所;华中科技大学 |
主分类号: | G01N21/3504 | 分类号: | G01N21/3504;G01N21/03 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 100094 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于硅基红外气体传感器的硅基气室,属于红外气体传感器领域,具体包括上层硅片和下层硅片;上层硅片和下层硅片通过键合方式连接;上层硅片包括红外光源窗口和红外探测器窗口;下层硅片上设置气室腔体和气体扩散槽;红外光源窗口和红外探测器窗口为贯穿上层硅片的通孔;气室腔体为棱台型结构;气体扩散槽位于下层硅片与上层硅片交界面的四周;棱台型两端的斜面为反射面,气室腔体与上层硅片的下表面反射面构成红外光的反射腔室;气体扩散槽用于使外界气体进入气室腔体的内部。本发明公开的硅基气室便于与红外光源、探测器和其他电路模块在外部集成,提高集成设计自由度。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 红外 气体 传感器 硅基气室 | ||
【主权项】:
1.一种用于硅基红外气体传感器的硅基气室,其特征在于,包括上层硅片(1)和下层硅片(2);所述上层硅片(1)和所述下层硅片(2)通过键合方式连接;/n所述上层硅片(1)包括红外光源窗口(101)和红外探测器窗口(102);所述下层硅片(2)上设置气室腔体(201)和气体扩散槽(202);/n所述红外光源窗口(101)和所述红外探测器窗口(102)为贯穿所述上层硅片(1)的通孔;所述气室腔体(201)为棱台型结构;所述气体扩散槽(202)位于所述下层硅片(2)与所述上层硅片(1)交界面的四周;/n所述红外光源窗口(101)用于接收红外光;所述红外探测器窗口(102)用于发散通过所述气室腔体(201)的红外光;棱台型两端的斜面为反射面,所述气室腔体(201)与所述上层硅片(1)的下表面反射面构成红外光的反射腔室;所述气体扩散槽(202)用于使外界气体进入所述气室腔体(201)的内部。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航天控制仪器研究所;华中科技大学,未经北京航天控制仪器研究所;华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911042266.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:气体监测装置
- 下一篇:低浓度CO机械调制气体传感器