[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911034899.8 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112736030A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 朱德龙 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 张彬彬 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法通过离子注入精确控制沟槽中金属的钝化区域，进而降低沟槽中金属的形成速率，通过控制金属在钝化层的形成速率比种子层的慢，进而能够促进沟槽内金属充分沉积，在对高深宽比的沟槽进行填充时，可以避免产生缝隙、孔洞等缺陷。同时，离子注入可直接定义反应区域，可以精确控制金属钝化层的形成区域，增强工艺制程的控制能力；并且，金属钝化层可以作为阻挡层，无需增加去除步骤，简化制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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