[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，所述衬底上形成有介质层；

于所述介质层内形成沟槽；

于所述沟槽表面形成金属种子层，所述金属种子层覆盖所述沟槽的表面；

采用离子注入工艺以预设角度对所述沟槽中的金属种子层进行离子注入；

于所述沟槽内填充金属形成金属插塞。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述沟槽表面形成金属种子层的步骤中，还包括：

于所述沟槽表面形成阻挡层，所述金属种子层位于所述阻挡层表面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述采用离子注入工艺以预设角度对所述沟槽中的金属种子层进行离子注入的步骤中，还包括：

采用离子注入工艺以所述预设角度对所述沟槽的侧壁顶部的金属种子层进行离子注入。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述预设角度的取值范围为5°至45°。

5.根据权利要求3或4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，

所述沟槽的所述侧壁顶部的高度与所述沟槽的深度成预设比例；

所述预设比例的取值范围为0.1至0.5。

6.根据权利要求1至4任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述采用离子注入工艺对所述沟槽中的金属种子层进行离子注入的步骤包括：

采用氮源前驱体对所述沟槽中的金属种子层进行离子注入；所述氮源前驱体包括氨气及三氟化氮中的至少一种。

7.根据权利要求1至4任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述采用离子注入工艺对所述沟槽中的金属种子层进行离子注入的步骤中，还包括：

采用多次离子注入工艺对沟槽中的金属种子层进行离子注入。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，

采用多次离子注入工艺对沟槽中的金属种子层进行离子注入以形成阶段性分布的不同注入离子浓度的沟槽侧壁金属钝化层。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

介质层，位于所述衬底的上方，所述介质层内形成有沟槽；

金属种子层，位于所述沟槽内；

金属钝化层，至少覆盖所述沟槽内的部分表面；所述金属钝化层为对所述金属种子层进行离子注入工艺而得到；

金属插塞，位于所述沟槽内。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，

所述金属钝化层位于所述沟槽侧壁的顶部；

所述金属钝化层的高度与所述沟槽的深度成预设比例；

所述预设比例的取值范围为0.1至0.5。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述金属钝化层位于所述沟槽侧壁上，所述金属钝化层包括多个子金属钝化层；所述多个子金属钝化层呈阶段性分布，并且所述多个金属钝化层的注入离子浓度沿所述沟槽深度方向上从沟槽底部到沟槽顶部逐渐增加。