[发明专利]形成互连结构的方法以及平坦化基板的方法有效
| 申请号： | 201911016103.6 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111128856B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 刘文贵 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露关于一种形成互连结构的方法以及平坦化基板的方法。形成互连结构的方法可包含提供半导体基板；沉积光阻与底部抗反射涂布层于半导体基板上；形成开口于光阻与底部抗反射涂布层以及部分的半导体基板中；沉积导电材料以填充开口；以及平坦化导电材料与半导体基板。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 互连 结构 方法 以及 平坦 化基板 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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