[发明专利]基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测器及系统有效
| 申请号： | 201911012131.0 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110715722B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杨培志;杨雯;李佳保;李学铭 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | G01H9/00 | 分类号： | G01H9/00;G01H11/06 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 舒梦来 |
| 地址： | 650500 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测器及系统，具体而言，涉及声波测量领域。本申请中当该声波探测器被光线照射的同时，并处于声场条件下，该石墨烯层、该量子点薄膜和该衬底对光线进行吸收，该声波探测器中产生很多的空穴，多个空穴在量子点薄膜中被缺陷态捕获，电荷在电场作用下被快速抽离，少数载流子被释放前，相当于电荷在回路中被多次循环，进而该声波探测器上形成了很大的电流，由于声波具有一定的能量，该石墨烯层在吸收声波的时候，该石墨烯层与该量子点薄膜之间的间距发生改变，进而使得该声波探测器产生的电流发生改变，通过改变后的电流与声波的频率的对应关系，得到该声波探测器吸收的声波的频率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 掺硼硅 量子 光电 特性 声波 探测器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测器，其特征在于，所述声波探测器包括：衬底、量子点薄膜、隔离层、石墨烯层、第一电极和第二电极；/n所述衬底的一侧设置有所述量子点薄膜、所述量子点薄膜远离所述衬底的一侧设置有所述隔离层，所述隔离层远离所述衬底的一侧设置有所述石墨烯层，所述石墨烯层远离所述衬底的一侧的两端分别设置有第一电极和第二电极，其中，所述隔离层为网状结构，具有多个空腔。/n
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