[发明专利]基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测器及系统有效
| 申请号： | 201911012131.0 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110715722B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杨培志;杨雯;李佳保;李学铭 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | G01H9/00 | 分类号： | G01H9/00;G01H11/06 |
| 代理公司： | 重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙) 50231 | 代理人： | 舒梦来 |
| 地址： | 650500 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 掺硼硅 量子 光电 特性 声波 探测器 系统 | ||
1.一种基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测器，其特征在于，所述声波探测器包括：衬底、量子点薄膜、隔离层、石墨烯层、第一电极和第二电极；
所述衬底的一侧设置有所述量子点薄膜、所述量子点薄膜远离所述衬底的一侧设置有所述隔离层，所述隔离层远离所述衬底的一侧设置有所述石墨烯层，所述石墨烯层远离所述衬底的一侧的两端分别设置有第一电极和第二电极，其中，所述隔离层为网状结构，具有多个空腔；
应用时，待测声波改变了所述石墨烯层与所述量子点薄膜之间的耦合，进而改变了所述石墨烯层中的电流，通过探测该电流变化实现待测声波探测。
2.根据权利要求 1 所述的基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测器，其特征在于，所述量子点薄膜包括：掺硼量子点薄膜、掺硅量子点薄膜和掺硼硅量子点薄膜中任意一种。
3.根据权利要求 1 所述的基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测器，其特征在于，所述隔离层的材料包括：硅和硼中至少一种绝缘材料。
4.根据权利要求 1 所述的基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测器，其特征在于，所述隔离层为热胀冷缩材料。
5.根据权利要求 1 所述的基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测器，其特征在于，所述隔离层的形状为楔形，并且靠近所述衬底的一端的表面积大于远离所述衬底的一端的表面积。
6.根据权利要求 1 所述的基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测器，其特征在于，所述衬底的材料为：二氧化硅和石墨烯中任意一种绝缘材料。
7.根据权利要求 1 所述的基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测器，其特征在于，所述隔离层中的所述空腔的形状为非对称形状。
8.一种基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测系统，其特征在于，所述声波探测系统包括：电流接收装置和权利要求 1-7 任意一项所述的声波探测器，所述电流接收装置的正极和负极分别与所述声波探测器的第一电极和第二电极电连接，用于检测所述声波探测器产生的电流。
9.根据权利要求8 所述的基于掺硼硅量子点光电特性的声波探测系统，其特征在于，所述电流接收装置包括：电流表、电压表和电能表中任意一种。
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