[发明专利]一种高光能利用率漫射器件的制备方法在审
| 申请号： | 201911009225.2 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110727041A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 曹阿秀;史立芳;邓启凌;庞辉;薛莉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G02B5/02 | 分类号： | G02B5/02;G02B27/48;G03B21/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高光能利用率漫射器件的制备方法，该方法主要步骤为：(1)设计掩模板为随机分布的多边形；(2)利用高精度激光直写技术制备设计的掩模板；(3)在基材上蒸镀铬膜层；(4)在铬膜层表面旋涂光刻胶，并通过曝光、显影、定影等工艺将掩模板上的图案传递到光刻胶层；(5)基材置于去铬液中，将裸露在外的铬层去除，使得整体基片出现半透明状态；(6)最终将基片放入HF溶液中刻蚀，在多边形铬膜层的掩蔽下，HF溶液由多边形间隔渗透侵蚀玻璃基材表面，形成随机分布微透镜结构，完成折射型漫射器件的制备。制备折射型漫射器件的光能利用率高，节约了能源，同时制备的结构可用于宽波段，实用性价值高。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 漫射器件 掩模板 随机分布 铬膜层 折射型 基材 定影 掩蔽 玻璃基材表面 半透明状态 高精度激光 铬膜层表面 光能利用率 微透镜结构 光刻胶层 图案传递 整体基片 高光能 光刻胶 宽波段 放入 铬层 铬液 可用 刻蚀 去除 显影 旋涂 蒸镀 直写 裸露 曝光 侵蚀 节约 能源 | ||
【主权项】：
1.一种高光能利用率漫射器件的制备方法，其特征在于：包含以下步骤：/n步骤(1)、设计掩模板为随机分布的多边形；/n步骤(2)、利用高精度激光直写技术制备设计的掩模板；/n步骤(3)、在基材上蒸镀铬膜层；/n步骤(4)、在铬膜层表面旋涂光刻胶，并通过曝光、显影、定影工艺将掩模板上的图案传递到光刻胶层；/n步骤(5)、基材置于去铬液中，将裸露在外的铬层去除，使得整体基片出现半透明状态；/n步骤(6)、最终将基片放入HF溶液中刻蚀，在多边形铬膜层的掩蔽下，HF溶液由多边形间隔渗透侵蚀玻璃基材表面，形成随机分布微透镜结构，完成折射型漫射器件的制备。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所，未经中国科学院光电技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911009225.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
