[发明专利]一种高光能利用率漫射器件的制备方法在审
| 申请号： | 201911009225.2 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110727041A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 曹阿秀;史立芳;邓启凌;庞辉;薛莉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G02B5/02 | 分类号： | G02B5/02;G02B27/48;G03B21/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 漫射器件 掩模板 随机分布 铬膜层 折射型 基材 定影 掩蔽 玻璃基材表面 半透明状态 高精度激光 铬膜层表面 光能利用率 微透镜结构 光刻胶层 图案传递 整体基片 高光能 光刻胶 宽波段 放入 铬层 铬液 可用 刻蚀 去除 显影 旋涂 蒸镀 直写 裸露 曝光 侵蚀 节约 能源 | ||
1.一种高光能利用率漫射器件的制备方法，其特征在于：包含以下步骤：
步骤(1)、设计掩模板为随机分布的多边形；
步骤(2)、利用高精度激光直写技术制备设计的掩模板；
步骤(3)、在基材上蒸镀铬膜层；
步骤(4)、在铬膜层表面旋涂光刻胶，并通过曝光、显影、定影工艺将掩模板上的图案传递到光刻胶层；
步骤(5)、基材置于去铬液中，将裸露在外的铬层去除，使得整体基片出现半透明状态；
步骤(6)、最终将基片放入HF溶液中刻蚀，在多边形铬膜层的掩蔽下，HF溶液由多边形间隔渗透侵蚀玻璃基材表面，形成随机分布微透镜结构，完成折射型漫射器件的制备。
2.根据权利要求1所述的一种高光能利用率漫射器件的制备方法，其特征在于：步骤(1)中设计的掩模板为随机分布的多边形，以使得最后制备的漫射器件上的结构为随机分布。
3.根据权利要求1所述的一种高光能利用率漫射器件的制备方法，其特征在于：步骤(1)中设计的掩模板为随机分布的多边形，多边形的口径变化范围为几个微米到几十个微米量级，多边形之间留有间隙，间隙为几微米量级。
4.根据权利要求1所述的一种高光能利用率漫射器件的制备方法，其特征在于：步骤(1)中设计的掩模板为随机分布的多边形，掩模板多边形区域为不透光区域，间隙为透光区域。
5.根据权利要求1所述的一种高光能利用率漫射器件的制备方法，其特征在于：步骤(3)中在基材上蒸镀铬膜层，膜层厚度在百纳米量级。
6.根据权利要求1所述的一种高光能利用率漫射器件的制备方法，其特征在于：步骤(4)中掩模板上的图案按照1:1的比例传递到光刻胶层。
7.根据权利要求1所述的一种高光能利用率漫射器件的制备方法，其特征在于：步骤(4)中光刻胶层上的形成多边形图案，多边形间隙处的铬膜层裸露在外。
8.根据权利要求1所述的一种高光能利用率漫射器件的制备方法，其特征在于：步骤(5)中基材置于去铬液中，将裸露在外的铬层去除，去除厚度为几十纳米。
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