[发明专利]一种晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 201911008434.5 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110620036A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 杨一凡;高志强 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人： | 沈栋栋 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗方法，包括：步骤S1，对晶圆执行一第一清洗工艺；步骤S2，对晶圆执行一第一干燥工艺；步骤S3，对晶圆执行一等离子体工艺；步骤S4，对晶圆执行一第二清洗工艺和一第二干燥工艺。本发明技术方案的有益效果在于：在传统的晶圆清洗步骤中加入等离子体工艺，利用等离子体对晶圆表面进行处理以提升颗粒物表面的活性，有助于后续的第二清洗工艺中更好地去除晶圆表面残留的研磨颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 清洗工艺 等离子体工艺 干燥工艺 晶圆表面 等离子体 半导体制造技术 颗粒物表面 晶圆清洗 研磨颗粒 传统的 种晶 去除 清洗 残留 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：/n步骤S1，对所述晶圆执行一第一清洗工艺；/n步骤S2，对所述晶圆执行一第一干燥工艺；/n步骤S3，对所述晶圆执行一等离子体工艺；/n步骤S4，对所述晶圆执行一第二清洗工艺和一第二干燥工艺。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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