[发明专利]一种晶圆清洗方法

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗方法，包括：步骤S1，对晶圆执行一第一清洗工艺；步骤S2，对晶圆执行一第一干燥工艺；步骤S3，对晶圆执行一等离子体工艺；步骤S4，对晶圆执行一第二清洗工艺和一第二干燥工艺。本发明技术方案的有益效果在于：在传统的晶圆清洗步骤中加入等离子体工艺，利用等离子体对晶圆表面进行处理以提升颗粒物表面的活性，有助于后续的第二清洗工艺中更好地去除晶圆表面残留的研磨颗粒。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗方法。

背景技术

在晶圆完成化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，以下简称CMP)工艺后需要进行清洗工艺，以去除残留的研磨液和研磨颗粒物等。在进行传统的Cu-CMP(铜工艺化学机械研磨)清洗过程后，仍然会存在一些比较小的研磨颗粒不能去除，而这些研磨颗粒残留可能会对晶圆键合工艺造成影响。尤其是在Cu(铜)键合的工艺中，对颗粒的要求比较高。因此，现需一种新型的晶圆清洗方法，提高晶圆的清洗效果，以满足晶圆键合工艺的要求。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种晶圆清洗方法。

具体技术方案如下：

本发明包括一种晶圆清洗方法，包括：

步骤S1，对所述晶圆执行一第一清洗工艺；

步骤S2，对所述晶圆执行一第一干燥工艺；

步骤S3，对所述晶圆执行一等离子体工艺；

步骤S4，对所述晶圆执行一第二清洗工艺和一第二干燥工艺。

优选的，于所述等离子体工艺中，等离子体的能量为30～300W。

优选的，所述等离子体工艺中的工艺气体为氮气、惰性气体或氧气。

优选的，所述步骤S2具体包括：

步骤S21，将所述晶圆传送至一第一烘干装置上；

步骤S22，采用一第一干燥气体对所述晶圆进行干燥。

优选的，所述第一干燥气体包括异丙醇蒸气和/或氮气。

优选的，所述步骤S4具体包括：

步骤S41，将所述晶圆传送至一第二烘干装置上；

步骤S42，使所述第二烘干装置旋转，以带动所述晶圆旋转；

步骤S43，对所述晶圆的表面喷淋一化学清洗液；

步骤S44，采用一第二干燥气体对所述晶圆进行干燥。

优选的，所述第二干燥气体包括异丙醇蒸气和/或氮气。

优选的，所述步骤S4还包括：

在执行所述步骤S42之前，在所述晶圆的上方设置一清洗件，且所述清洗件的清洁部接触所述晶圆的表面，以使所述清洗件在所述晶圆的旋转过程中，对所述晶圆的表面进行擦洗。

优选的，所述第一烘干装置为提拉式烘干装置。

优选的，所述第二烘干装置为旋转式烘干装置。

本发明技术方案的有益效果在于：在传统的晶圆清洗步骤中加入等离子体工艺，利用等离子体对晶圆表面进行处理以提升颗粒物表面的活性，有助于后续的第二清洗工艺中更好地去除晶圆表面残留的研磨颗粒。

附图说明

参考所附附图，以更加充分地描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。