[发明专利]微型发光二极管晶粒及微型发光二极管晶圆有效
| 申请号： | 201911006122.0 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110707191B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陈奕静;李玉柱 | 申请（专利权）人： | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种微型发光二极管晶粒及微型发光二极管晶圆。微型发光二极管晶粒，包括发光层、第一型半导体层以及第二型半导体层。发光层包括金属元素以及多个非磊晶介质。非磊晶介质彼此分离以分散金属元素。任两相邻的非磊晶介质之间的水平距离小于100纳米。第一型半导体层配置于发光层的一侧上。第二型半导体层配置于发光层的另一侧上。本发明的微型发光二极管晶粒，其可通过非磊晶介质的配置来控制金属元素的聚集程度。本发明的微型发光二极管晶圆，其同时具有不同色光的发光层，于切割后可具有较佳的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 晶粒 | ||
【主权项】：
1.一种微型发光二极管晶粒，包括：/n发光层，包括金属元素以及多个非磊晶介质，其中所述多个非磊晶介质彼此分离以分散所述金属元素，且任两相邻的所述多个非磊晶介质之间的水平距离小于100纳米；/n第一型半导体层，配置于所述发光层的一侧上；以及/n第二型半导体层，配置于所述发光层的另一侧上。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于錼创显示科技股份有限公司，未经錼创显示科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911006122.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种倒装LED芯片及其制备方法
- 下一篇：一种高亮度正装LED结构及制作方法
