[发明专利]微型发光二极管晶粒及微型发光二极管晶圆

权利要求书

1.一种微型发光二极管晶粒，包括：

发光层，包括金属元素以及多个非磊晶介质，其中所述多个非磊晶介质彼此分离以分散所述金属元素，且任两相邻的所述多个非磊晶介质之间的水平距离小于100纳米；

第一型半导体层，配置于所述发光层的一侧上；以及

第二型半导体层，配置于所述发光层的另一侧上，其中一第一型电极与一第二型电极位于相对平坦的所述第一型半导体层的表面，

其中所述多个非磊晶介质为多个绝缘图案，所述多个绝缘图案制作于所述第二型半导体层的表面。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管晶粒，其中所述多个非磊晶介质的材质包括二氧化硅、氮化硅或金属氧化物，且所述多个非磊晶介质为所述多个绝缘图案。

3.根据权利要求2所述的微型发光二极管晶粒，其中以剖面观之，所述多个绝缘图案的形状包括矩形、半圆形、半椭圆形、梯形或上述形状的组合。

4.根据权利要求1所述的微型发光二极管晶粒，其中所述多个非磊晶介质为空气。

5.根据权利要求4所述的微型发光二极管晶粒，其中所述第一型半导体层为P型半导体层，所述第二型半导体层为N型半导体层，而所述第二型半导体层具有多个凹槽，且所述多个凹槽分别对于所述多个非磊晶介质。

6.根据权利要求5所述的微型发光二极管晶粒，其中各所述凹槽具有粗糙表面。

7.根据权利要求1所述的微型发光二极管晶粒，其中所述金属元素为铟。

8.根据权利要求1所述的微型发光二极管晶粒，其中所述发光层的化学式为In_xGa_1-xN，且x介于0.23至0.31之间，或者是，x介于0.38至0.44之间。

9.一种微型发光二极管晶圆，包括：

发光层，包括金属元素以及多个非磊晶介质，其中所述多个非磊晶介质彼此分离以分散所述金属元素，其中于相邻的第一单位面积与第二单位面积中，于所述第一单位面积内的所述多个非磊晶介质呈等间距排列，且相邻两所述多个非磊晶介质于所述第一单位面积内具有第一间距，于所述第二单位面积内的所述多个非磊晶介质呈等间距排列，且相邻两所述多个非磊晶介质于所述第二单位面积内具有第二间距，而所述第二间距大于所述第一间距，且任两相邻的所述多个非磊晶介质之间的水平距离小于100纳米；

第一型半导体层，配置于所述发光层的一侧上；以及

第二型半导体层，配置于所述发光层的另一侧上，其中一第一型电极与一第二型电极位于相对平坦的所述第一型半导体层的表面，

其中所述多个非磊晶介质为多个绝缘图案，所述多个绝缘图案制作于所述第二型半导体层的表面。

10.根据权利要求9所述的微型发光二极管晶圆，其中所述发光层于所述第一单位面积内产生蓝光，而所述发光层于所述第二单位面积内产生绿光。

11.根据权利要求9所述的微型发光二极管晶圆，其中所述多个非磊晶介质的材质包括二氧化硅、氮化硅或金属氧化物，且所述多个非磊晶介质为所述多个绝缘图案。

12.根据权利要求11所述的微型发光二极管晶圆，其中以剖面观之，所述多个绝缘图案的形状包括矩形、半圆形、半椭圆形、梯形或上述形状的组合。

13.根据权利要求9所述的微型发光二极管晶圆，其中所述多个非磊晶介质为空气。

14.根据权利要求13所述的微型发光二极管晶圆，其中所述第一型半导体层为P型半导体层，所述第二型半导体层为N型半导体层，而所述第二型半导体层具有多个凹槽，且所述多个凹槽分别对于所述多个非磊晶介质。