[发明专利]一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路在审
| 申请号： | 201910978703.4 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110677017A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 励晔;黄飞明;赵文遐;贺洁;朱勤为 | 申请（专利权）人： | 无锡硅动力微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M1/44;H03K17/687;H03K17/16 |
| 代理公司： | 32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹祖良;屠志力 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，包括驱动电流调节电路、驱动电压钳位模块、驱动功率管Q2、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1；驱动功率管Q2的漏极接常通型SiCJFET功率管Q1的源极，驱动功率管Q2的源极接SiCJFET功率管Q1的栅极并接地；驱动功率管Q2的栅极接驱动电压vDrv；驱动电流调节电路110接开关信号In，驱动电流调节电路110的电流输出端接驱动功率管Q2的栅极；驱动电压钳位模块140接驱动功率管Q2的栅极；反相器INV1的输入端接开关信号In，输出端接驱动电压关断功率管Q3的栅极，Q3的源极接地，漏极接驱动功率管Q2的栅极；本发明实现一种低损耗、低EMI的常通型SiC JFET驱动电路。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动功率管 驱动电压 功率管 驱动电流调节 通型 电路 钳位模块 驱动电路 反相器 低EMI 关断 漏极 源极 输入端接开关 电流输出端 开关信号 源极接地 接地 低损耗 输出端 | ||
【主权项】：
1.一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，其特征在于，包括驱动电流调节电路(110)、驱动电压钳位模块(140)、驱动功率管Q2、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1；/n驱动功率管Q2的漏极接常通型SiCJFET功率管Q1的源极，驱动功率管Q2的源极接SiCJFET功率管Q1的栅极并接地；驱动功率管Q2的栅极接驱动电压vDrv；/n驱动电流调节电路(110)接开关信号In，驱动电流调节电路(110)的电流输出端接驱动功率管Q2的栅极；驱动电压钳位模块(140)接驱动功率管Q2的栅极；反相器INV1的输入端接开关信号In，输出端接驱动电压关断功率管Q3的栅极，Q3的源极接地，漏极接驱动功率管Q2的栅极；/n驱动电压vDrv通过驱动电流调节电路(110)、驱动电压钳位模块(140)、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1产生；/n驱动电流调节电路(110)实时检测驱动电压vDrv，并根据驱动电压vDrv的高低，实时调节驱动电流iDrv的大小。/n
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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