[发明专利]一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路

权利要求书

1.一种低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，其特征在于，包括驱动电流调节电路(110)、驱动电压钳位模块(140)、驱动功率管Q2、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1；

驱动功率管Q2的漏极接常通型SiCJFET功率管Q1的源极，驱动功率管Q2的源极接SiCJFET功率管Q1的栅极并接地；驱动功率管Q2的栅极接驱动电压vDrv；

驱动电流调节电路(110)接开关信号In，驱动电流调节电路(110)的电流输出端接驱动功率管Q2的栅极；驱动电压钳位模块(140)接驱动功率管Q2的栅极；反相器INV1的输入端接开关信号In，输出端接驱动电压关断功率管Q3的栅极，Q3的源极接地，漏极接驱动功率管Q2的栅极；

驱动电压vDrv通过驱动电流调节电路(110)、驱动电压钳位模块(140)、驱动电压关断功率管Q3、反相器INV1产生；

驱动电流调节电路(110)实时检测驱动电压vDrv，并根据驱动电压vDrv的高低，实时调节驱动电流iDrv的大小。

2.如权利要求1所述的低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，其特征在于，

Q2和Q3为NMOS管。

3.如权利要求1所述的低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，其特征在于，

驱动电流调节电路(110)，包括PMOS型偏置电流源PB1、PB2、PB3，NMOS型电流镜Ncm1、Ncm2、Ncm3、Ncm4，PMOS型电流镜Pcm1、Pcm2，NMOS型开关Nsw1、Nsw2、Nsw3、Nsw4，电阻R1、R2、R3、R4，上拉电阻Rup，反相器INV3，NMOS型电流调节开关N1、N2以及电平转换电路(310)；

偏置电流源PB1、PB2、PB3的栅极相接，并接偏置电压VBIAS1，PB1、PB2、PB3的源极相接；偏置电流源PB1的漏极接电流镜Ncm1的漏极和栅极、Ncm2的栅极、Ncm3的栅极和Ncm4的栅极；电流镜Ncm1、Ncm2、Ncm3、Ncm4的源极接地；电流镜Ncm2的漏极接电流调节开关N2的源极、开关Nsw1的漏极；电流镜Ncm3的漏极接开关Nsw1的源极和Nsw2的漏极；电流镜Ncm4的漏极接开关Nsw2的源极；

偏置电流源PB2的漏极接反相器INV3的输入端和开关Nsw3的漏极；开关Nsw3的源极接地；反相器INV3的输出端接开关Nsw2的栅极；

偏置电流源PB3的漏极接开关Nsw1的栅极和开关Nsw4的漏极；开关Nsw4的源极接地；

电流调节开关N2的栅极接开关信号In，N2漏极接电流调节开关N1的漏极、电流镜Pcm1的漏极和栅极、电流镜Pcm2的栅极和上拉电阻Rup一端；电流镜Pcm1的源极接上拉电阻Rup另一端和电流镜Pcm2的源极；电流镜Pcm2的漏极接驱动电流调节电路的电流输出端；

电平转换电路(310)的输入端接开关信号In，输出端接电流调节开关N1的栅极；电流调节开关N1的源极接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接电阻R2的一端和驱动电流调节电路的电流输出端；电阻R2的另一端接开关Nsw3的栅极和电阻R3的一端；电阻R3的另一端接开关Nsw4的栅极和电阻R4的一端；电阻R4的另一端接地。

4.如权利要求3所述的低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，其特征在于，

电平转换电路(310)的输出与输入开关信号In相关，当输入开关信号In为低电平时，电平转换电路(310)的输出为零，当输入开关信号In为高电平时，电平转换电路(310)的输出为高电平。

5.如权利要求4所述的低EMI常通型SiCJFET的驱动电路，其特征在于，

电平转换电路(310)的输出高电平电压被箝位在十几伏。