[发明专利]一种HJT太阳电池及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种HJT太阳电池及其制备方法，包括N型单晶硅片表面处理、双面沉积非晶硅层及TCO透明导电玻璃、制作电极和烧结固化，其特征在于：在TCO透明导电玻璃表面通过激光转印法制备上电极和下电极，包括步骤：将完成TCO透明导电玻璃沉积的硅片半成品载入自加热的承载台上；在承载台及硅片半成品上方成型转印衬底，将金属导电材料采用涂覆法制备在转印衬底表面，并利用激光器扫描转印至被加热的硅片半成品上。应用本发明的制备工艺，实现了非接触式的电极制备，降低了硅片的隐裂和碎片率；并且有利于优化电极的规格尺寸，增加光吸收且提高电池效率，同时改善了硅片的洁净度，消除了污染源，适于规模化生产的应用。