[发明专利]一种HJT太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种HJT太阳电池，自一侧面至另一侧面的分层结构包括上电极、TCO透明导电玻璃、P型非晶硅层、本征非晶硅层、N型单晶硅片、本征非晶硅层、N型非晶硅层、TCO透明导电玻璃、下电极，其中N型单晶硅片的厚度为150μm以下，其特征在于：所述上电极和下电极均为非接触式激光转印于TCO透明导电玻璃之上的成型电极。

2.根据权利要求1所述HJT太阳电池，其特征在于：所述激光转印中转印图形的主栅线宽度为0.1mm～1.5mm，主栅线数目为4～10，且正面、背面的副栅线宽度为10μm～40μm，副栅线数目为100～150。

3.一种HJT太阳电池的制备方法，包括N型单晶硅片表面处理、双面沉积非晶硅层及TCO透明导电玻璃、制作电极和烧结固化，其特征在于：在TCO透明导电玻璃表面通过激光转印法制备上电极和下电极，包括步骤：将完成TCO透明导电玻璃沉积的硅片半成品载入自加热的承载台上；在承载台及硅片半成品上方成型转印衬底，将金属导电材料采用涂覆法制备在转印衬底表面，并利用激光器扫描转印至被加热的硅片半成品上。

4.根据权利要求3所述HJT太阳电池的制备方法，其特征在于：所述激光器用于扫描转印所射出的激光线直径介于10μm～20μm，且激光脉冲介于5ns～20ns。

5.根据权利要求3所述HJT太阳电池的制备方法，其特征在于：所述转印衬底表面距离硅片半成品的距离介于20μm～50μm。

6.根据权利要求3所述HJT太阳电池的制备方法，其特征在于：所述非晶硅层采用等离子体增强化学气相沉积法进行沉积，且工艺参数范围包括：硅烷流量300～500sccm，硼烷流量500～1500sccm，氢气流量800～2000sccm，功率密度200W/m²～1000W/m²，温度150～250℃、压力0.5Mbar～3Mbar。

7.根据权利要求3所述HJT太阳电池的制备方法，其特征在于：所述N型单晶硅片的厚度为130μm，TCO透明导电玻璃的厚度为110nm，利用激光器扫描转印的工艺参数为激光脉冲10ns～20ns，激光线直径介于15μm～20μm，转印衬底表面距离硅片半成品的距离介于20μm～40μm，激光转印中转印图形的主栅线宽度为1mm，主栅线数目为4，且正面、背面的副栅线宽度为30μm，副栅线数目为108。

8.根据权利要求3所述HJT太阳电池的制备方法，其特征在于：所述N型单晶硅片的厚度为100μm，TCO透明导电玻璃的厚度为80nm，利用激光器扫描转印的工艺参数为激光脉冲5ns～10ns，激光线直径介于10μm～15μm，转印衬底表面距离硅片半成品的距离介于30μm～50μm，激光转印中转印图形的主栅线宽度为0.8mm，主栅线数目为5，且正面、背面的副栅线宽度为15μm，副栅线数目为128。