[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910972636.5 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110676256B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 谢柳群;杨川;许波;殷姿 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/27;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;高青 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括：衬底；位于衬底上方的栅叠层结构，栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；贯穿栅叠层结构的多个沟道柱；以及贯穿栅叠层结构的导电通道，其中，导电通道的至少部分底面为曲面。该3D存储器件中的导电通道的至少部分底面为曲面，提高了导电通道底面轮廓的均匀性，从而可以实现更优的电气参数，提高了3D存储器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上方的栅叠层结构，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体和多个层间绝缘层；/n贯穿所述栅叠层结构的多个沟道柱；以及/n贯穿所述栅叠层结构的导电通道，/n其中，所述导电通道的至少部分底面为曲面。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910972636.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体存储器件
- 下一篇：3D存储器件及其制造方法
