[发明专利]三维存储器结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，形成叠层结构，于叠层结构中形成沟道孔，于沟道孔的内壁上形成功能侧壁层，于功能侧壁层表面形成沟道层，形成牺牲间隙；于牺牲间隙内形成与叠层结构中的绝缘介质层相接触的无氟金属栅层，本发明无需制备栅极材料的阻挡层，将高介电常数介质层制备在沟道孔侧壁，无需减小无氟金属栅层的高度便可以缩小单层牺牲层的高度，减小了器件电阻，可以缩小整个叠层结构的高度，提高晶体管的开关速度，并减小栅极的漏电流，同时，栅极材料阻挡层的去除以及高介电常数介质层的改进，可以降低对器件造成的压力，提高器件的延展性，更适用于层数越来越多的器件，提高器件性能。