[发明专利]三维存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910969274.4 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110676258B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 姚兰;薛磊;耿万波;刘庆波;罗佳明;杨永刚;薛家倩 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B41/35 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维存储器件及其制造方法。该三维存储器包括衬底、经掺杂的阱区以及位于所述衬底上的堆叠层。经掺杂的阱区位于所述衬底中，所述阱区与所述衬底接触；所述堆叠层包括间隔的栅极层；垂直穿过所述堆叠层且到达所述阱区的沟道结构，所述沟道结构包括沟道层，其中所述沟道层位于所述阱区的部分从所述沟道结构的侧面露出，从而与所述阱区接触。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器，包括：/n衬底；/n经掺杂的阱区，位于所述衬底中，所述阱区与所述衬底接触；/n位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括间隔的栅极层；/n垂直穿过所述堆叠层且到达所述阱区的沟道结构，所述沟道结构包括沟道层，其中所述沟道层位于所述阱区的部分从所述沟道结构的侧面露出，从而与所述阱区接触。/n
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