[发明专利]三维存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器，包括：

衬底；

经掺杂的阱区，位于所述衬底中，所述阱区与所述衬底接触；

位于所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括间隔的栅极层；

垂直穿过所述堆叠层且到达所述阱区的沟道结构，所述沟道结构包括沟道层，其中所述沟道层位于所述阱区的部分从所述沟道结构的侧面露出，从而与所述阱区接触。

2.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述阱区在所述沟道结构周围与所述堆叠层的底部介质层接触，且接触的表面是平坦的。

3.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述阱区包括在所述堆叠层的延伸方向上设置于所述沟道结构和所述堆叠层的底部介质层之间的突出部分。

4.如权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述阱区包括在所述堆叠层的延伸方向上设置于所述沟道结构和所述堆叠层的底部栅极层之间的突出部分。

5.如权利要求2或3所述的三维存储器，其特征在于，所述栅极层包括底部选择栅，所述沟道层延伸到所述底部选择栅的位置。

6.如权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述底部介质层在所述堆叠层的延伸方向上围绕所述阱区的所述突出部分。

7.如权利要求3所述的三维存储器，其特征在于，所述突出部分的顶表面在所述沟道结构的延伸方向上比所述底部介质层的底表面更高。

8.如权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，所述底部栅极层在所述堆叠层的延伸方向上围绕所述阱区的所述突出部分。

9.如权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，所述突出部分的顶表面在所述沟道结构的延伸方向上比所述底部栅极层的底表面更高。

10.如权利要求4所述的三维存储器，其特征在于，还包括位于所述阱区和所述底部栅极层之间的绝缘层。

11.如权利要求3或4所述的三维存储器，其特征在于，所述阱区的所述突出部分围绕并且接触所述沟道层。

12.如权利要求1-4任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述沟道结构在所述阱区中的部分具有径向尺寸增大的支撑部。

13.如权利要求12所述的三维存储器，其特征在于，所述沟道结构包括存储器层，所述存储器层在所述阱区内沿着所述堆叠层的延伸方向延伸。

14.如权利要求1-4任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述沟道层从所述侧面露出的部分为圆柱面。

15.如权利要求1-4任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述阱区包括外延层，所述沟道层与所述外延层接触。

16.如权利要求1-4任一项所述的三维存储器，其特征在于，还包括垂直穿过所述堆叠层的阵列共源极，所述阱区与所述阵列共源极电性连接，其中所述阱区与所述阵列共源极之间设有接触区。

17.如权利要求1-4任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述阱区为P型掺杂。

18.如权利要求1-4任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠层包括一个堆栈或多个堆叠的堆栈。