[发明专利]一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法有效
| 申请号： | 201910967766.X | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN110764185B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 华平壤;尹承静 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/122;G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 李素兰 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法，首先采用LNOI作为初始材料；然后在LN薄膜层的表面镀一层100nm厚的SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 损耗 铌酸锂 薄膜 波导 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：/n首先采用LNOI作为初始材料，然后在LN薄膜层的表面镀一层100nm厚的SiO
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