[发明专利]一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法

权利要求书

1.一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

首先采用LNOI作为初始材料，然后在LN薄膜层的表面镀一层100nm厚的SiO₂膜，对SiO₂膜进行光刻，制作出条状结构的2～3μm宽的SiO₂掩模，接着把光刻后的条状结构的SiO₂掩模样品在520～550℃下富锂气相输运平衡处理10～20个小时，得到富锂气相输运平衡条状区域，将所述富锂气相输运平衡 区域的单晶LN薄膜制作成LN薄膜光波导；最后去除SiO₂掩模，并对样品的端面进行抛光处理。

2.如权利要求1所述的一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法，其特征在于，所述富锂气相输运平衡处理所包含的具体处理为：

以LNOI的基本结构为平台，局域提高LNOI中的铌酸锂薄膜层的Li/Nb比，降低其折射率，且保留富锂气相输运平衡条状区域折射率不变，形成折射率差Δn_e为0.01-0.02之间、折射率不变区域，作为波导芯层。