[发明专利]直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法

摘要

本发明涉及单晶硅生产技术，特别涉及直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法。包括以下步骤：(1)设置CCD摄像机，根据原始热场设计获得参照物直径Ф1，晶体实际直径，记为Ф；(2)晶体实际生长过程中，CCD摄像机计算得到图像中参照物直径记为φ1，参照物在硅熔体表面的倒影直径φ2，晶体与液面交界面图像，将此时晶体直径记为φ；(3)CCD捕捉到图像中参照物在液面垂直投影直径可近似计算φ3＝(φ1+φ2)/2，直径Ф1＝Ф3，图像中φ/φ3＝Ф/Ф3＝Ф/Ф1，即Ф＝Ф1×(φ/φ3)＝Ф1×[2φ/(φ1+φ2)]。本发明装置最终实现准确测量晶体直径和实时测量，从而提高晶体直径控制精度和工艺稳定性。

主权项

1.一种直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)在直拉法生长硅单晶炉的观察窗外设置CCD摄像机，CCD摄像机通过信号线与计算机相连，CCD摄像机将拍摄到的参照物及硅熔体表面的图像信号传送至计算机，并进行数据转换和图像测量；其中，根据原始热场设计获得参照物直径Ф