[发明专利]直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法有效
| 申请号： | 201910963279.6 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110685007B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 傅林坚;高宇;夏泽杰;陈丽婷;叶刚飞;胡建荣;李林;沈文杰;曹建伟 | 申请（专利权）人： | 浙江晶盛机电股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/26 | 分类号： | C30B15/26;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 周世骏 |
| 地址： | 312300 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直拉法 生长 硅单晶 过程 测量 晶体 直径 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种直拉法生长硅单晶过程中测量晶体直径的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在直拉法生长硅单晶炉的观察窗外设置CCD摄像机，CCD摄像机通过信号线与计算机相连，CCD摄像机将拍摄到的参照物及硅熔体表面的图像信号传送至计算机，并进行数据转换和图像测量；其中，根据原始热场设计获得参照物直径Ф1，晶体实际直径，记为Ф；
(2)晶体实际生长过程中，CCD摄像机拍摄硅单晶生长过程中某一时刻的图像后，计算得到图像中参照物直径记为φ1，参照物在硅熔体表面的倒影直径φ2，晶体与液面交界面图像，该交界面直径等于晶体直径，将此时晶体直径记为φ；
(3)CCD捕捉到图像中参照物在液面垂直投影直径近似计算φ3＝(φ1+φ2)/2，φ3与晶体与熔体交界位置光圈位于同一平面，参照物在液面投影实际直径等于参照物直径Ф1＝Ф3，因此图像中φ/φ3＝Ф/Ф3＝Ф/Ф1，即Ф＝Ф1×(φ/φ3)＝Ф1×[2φ/(φ1+φ2)]。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述参照物为导流筒。
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