[发明专利]一种用于提高LDO负载瞬态响应的电路有效
| 申请号： | 201910961949.0 | 申请日： | 2019-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN110888480B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 杨红伟;吴建刚 | 申请（专利权）人： | 思瑞浦微电子科技（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种用于提高LDO负载瞬态响应的电路，LDO供电MOS管MPP的栅极接设有主控环路，其特征在于：所述LDO接设有一并接入MOS管MPP栅极的辅助响应电路，所述辅助响应电路设有MOS管MN2和放大器AMP2，其中MOS管MN2的源极接地、漏极与MOS管MPP的栅极相接、栅极与放大器AMP2的输出相接，放大器AMP2的一个输入端接参考电压VREF、另一个输入端通过失调电压Vos与负载反馈电压VFB相接。应用本发明的电路改良，通过复制前驱MOS并优选放大器作为负载电流陡增时的接替性配置，能够快速响应拉低供电MOS管的栅极电位，减缓输出电压的降幅，由此提高了LDO输出性能的稳定性，且改良所引入的器件占用面积有限，符合芯片微型化的设计要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 ldo 负载 瞬态 响应 电路 | ||
【主权项】：
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