[发明专利]LDMOS器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910948225.2 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN112635540B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 金华俊;孙贵鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LDMOS器件及其制备方法中，阻挡层包括n层刻蚀停止层，相邻两层刻蚀停止层之间设置绝缘层，由于层间介质层、绝缘层的材料相同均为氧化物，且不同于刻蚀停止层的材料，因此刻蚀氧化物时可以分别停止于n层刻蚀停止层上，以在n层刻蚀停止层上分别形成n级场板孔。靠近栅极结构的第1级场板孔下端与漂移区的距离最小，靠近漏区的第n级场板孔与漂移区的距离最大，进而可以使得漂移区的前端和后端电场分布更均匀，可有效改善漂移区的电场分布，使得漂移区的前端和后端电场分布均匀，获得更高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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