[发明专利]LDMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有漂移区和体区，所述漂移区内设置漏区，所述体区内设置源区；

在所述半导体衬底的所述漂移区上沉积阻挡层，所述阻挡层包括n层刻蚀停止层，其中n为大于等于2的整数，所述刻蚀停止层层叠设置，第1层刻蚀停止层至第n层刻蚀停止层依次远离所述半导体衬底，相邻所述刻蚀停止层之间设置有绝缘层；

形成层间介质层，并刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层以形成n级场板孔，其中，第1层刻蚀停止层上至第n层刻蚀停止层上依次对应设置第1级场板孔至第n级场板孔；

所述刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层以形成n级场板孔，包括：

以对所述刻蚀停止层、所述绝缘层以及所述刻蚀停止层均进行刻蚀的刻蚀选择比，刻蚀层间介质层以及其下方的刻蚀停止层以及绝缘层，直至第m层刻蚀停止层被刻穿；

调高所述绝缘层与所述刻蚀停止层的刻蚀选择比，刻蚀第m-1层刻蚀停止层之上的绝缘层，直至露出第m-1层刻蚀停止层而停止刻蚀，以在第m-1层刻蚀停止层上形成第m-1级场板孔，其中，m为大于1小于等于n的整数；

且，第m-1级孔场板填充在第m-1级场板孔中，而与第m-1层刻蚀停止层接触。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述半导体衬底上还形成有栅极结构，从所述栅极结构到所述漏区方向，所述第1级场板孔至所述第n级场板孔的下端依次远离所述漂移区，其中，靠近所述栅极结构的第1级场板孔下端与所述漂移区的距离最小，靠近所述漏区的第n级场板孔下端与所述漂移区的距离最大。

3.根据权利要求2所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述层间介质层和所述绝缘层包括氧化物，所述刻蚀停止层包括氮化物；

所述刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层以形成n级场板孔的步骤包括：

当形成第1级场板孔至第n-1级场板孔时，先降低所述氧化物和所述氮化物的刻蚀选择比刻蚀所述层间介质层形成通孔，沿所述通孔继续刻蚀至第m层刻蚀停止层且刻穿所述第m层刻蚀停止层，调高所述氧化物和所述氮化物的刻蚀选择比刻蚀所述绝缘层，当检测到刻蚀到第m-1层刻蚀停止层，则停止刻蚀，以在第m-1层刻蚀停止层上形成第m-1级场板孔，其中，m为大于1小于等于n的整数；

当刻蚀形成第n级场板孔时，调高所述氧化物和所述氮化物的刻蚀选择比刻蚀所述层间介质层，以露出所述第n层刻蚀停止层，当检测到第n层刻蚀停止层时停止刻蚀，以使第n层刻蚀停止层上形成第n级场板孔。

4.根据权利要求3所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述形成层间介质层并刻蚀所述层间介质层和所述阻挡层，以形成n级场板孔的步骤还包括：

同时刻蚀所述层间介质层形成源极接触孔和漏极接触孔，所述源极接触孔刻蚀停止于所述源区，所述漏极接触孔刻蚀停止于所述漏区；

在所述源极接触孔、所述漏极接触孔、所述n级场板孔中填充金属以形成源电极、漏电极和n级孔场板。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为和\或，

所述刻蚀停止层的厚度为

6.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中形成有漂移区和体区，所述漂移区内设置漏区，所述体区内设置源区；

阻挡层，设置于所述半导体衬底的所述漂移区上，所述阻挡层包括n层刻蚀停止层，其中n为大于等于2的整数，所述刻蚀停止层层叠设置，第1层刻蚀停止层至第n层刻蚀停止层依次远离所述半导体衬底，相邻所述刻蚀停止层之间设置有绝缘层；

层间介质层，覆盖所述半导体衬底；

所述LDMOS器件还包括n级孔场板,其中，所述第1层刻蚀停止层上至所述第n层刻蚀停止层上依次对应设置第1级孔场板至第n级孔场板；

第m-1层刻蚀停止层上形成第m-1级场板孔，其中，m为大于1小于等于n的整数，第m-1级孔场板填充在第m-1级场板孔中，而与第m-1层刻蚀停止层接触。